1、MOSFET、IGBT、GaN的設計與開發：器件結構與工藝設計、新老產品性能優化與良率提升、器件測試與可靠性考核、跟蹤客戶整機應用測試、完成編寫產品規格書；

2、與晶圓代工廠和封裝代工廠日常對接：設計制定工藝流程和測試程序、設計流片實驗方案與封裝實驗方案、完成編寫封裝規格書與芯片規格書；

3、專利與論文的編寫：包括但不限于器件結構、制造工藝、封裝結構、產品應用等，研究與分析國內外知名半導體功率器件公司的新技術、新產品、新封裝與各類應用；

4、配合質量人員完成質量體系的建立與完善。

崗位要求：

1、年齡：25-42歲之間，性別不限；

2、學歷及專業：本科及以上學歷，微電子相關專業，碩士優先。

3、有2年以上的半導體功率器件設計公司或半導體晶圓代工廠TD/PIE工作經驗，有產品設計與工藝整合經驗；高壓IGBT、coolmos、SIC mos、FRD研發經驗。

4、熟悉MOSFET、IGBT、二三極管、寬禁帶半導體理論基礎；

5、能夠使用英文讀寫，熟悉電子電路與整機應用者優先；

6、做事認真、細致，責任心強，有團隊協作精神，善于挑戰。