來源：集邦化合物半導體?原作者：竹子2025-02-17

2月14日，英飛凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圓工藝制造的碳化硅（SiC）產品。據悉，這些產品將在奧地利菲拉赫制造，為包括可再生能源、火車和電動汽車在內的高壓應用提供一流的碳化硅功率技術。

這一舉措標志著英飛凌在碳化硅技術應用上邁出了重要一步，有望進一步提升相關領域的能源效率和性能表現。尤其在電動汽車領域，英飛凌不斷拓展合作版圖。 英飛凌在生產布局上也有著重大進展，其位于馬來西亞居林的制造基地正順利從150毫米晶圓向200毫米直徑晶圓轉換，其新建Module 3 廠房已準備好根據市場需求開始大規模生產。

2022年2月，英飛凌宣布斥資逾20億歐元在居林工廠建造第三廠區（Module3廠），目前該廠已正式落成并開始運作，預計2025年開始量產。初期碳化硅生產以6寸晶圓為主，計劃在2027年全面轉向8寸晶圓生產。英飛凌表示已獲得約50億歐元的新設計訂單以及來自現有和新客戶的10億歐元左右的預付款，用于廠房的持續擴建，部分設計訂單來自6家汽車OEM廠商。?
此外，英飛凌還在新聞稿中表示，居林工廠與菲拉赫生產基地協同發展，英飛凌位于馬來西亞居林的第三廠區與位于奧地利菲拉赫的生產基地緊密相連，形成了一個專注于寬帶隙（WBG）技術的“虛擬協同工廠”。這個虛擬工廠可以共享技術和工藝，實現快速量產和平穩高效地運營。?

這種協同有助于產能的提升。據悉，英飛凌已于2023年提高了菲拉赫工廠在碳化硅和氮化鎵功率半導體方面的產能。這種緊密結合的兩座生產基地，實際上形成了一個專注于寬禁帶技術的“虛擬協同工廠”，可以共享技術和工藝。 英飛凌預計，通過在菲拉赫與居林工廠的200毫米SiC改造，有望使SiC的年營收達到約70億歐元。英飛凌的目標是在2030年之前占據全球30% SiC市場份額。?

早在技術研發方面，2024 年 5 月，英飛凌就推出了新一代400V碳化硅MOSFET系列，這是第二代（G2）CoolSiC?技術的升級版。與市場現有的650V SiC和Si MOSFET相比，具有超低的傳導和開關損耗。作為AI服務器電源裝置的AC/DC級，采用多級PFC，功率密度達到 100W/in3以上，效率高達99.5%，與采用650V SiC MOSFET的解決方案相比，提高了0.3個百分點。這一技術突破為數據中心等領域的能源高效利用提供了有力支持。

值得注意的是，2025年1月29日，據Power Electronics World報道，國際汽車供應商Forvia Hella已選擇英飛凌1200V汽車級SiC MOSFET作為其下一代800V DC/DC充電解決方案。英飛凌的CoolSiCMOSFET采用Q - DPAK封裝，專為800V汽車架構中的車載充電器和DCDC應用而設計，此次合作將助力Forvia Hella打造更高效的充電解決方案，也進一步鞏固了英飛凌在汽車碳化硅應用市場的地位。

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