探針臺-CP測試

實驗室配備先進的探針臺和JUNO DTS1000測試儀器， 可提供功率器件6寸、8寸晶圓研發(fā)和量產(chǎn)的產(chǎn)品全面的電性能測試，得到成品率和各個參數(shù)maping分布， 失效bin分組和分布情況。有效的輔助芯片開發(fā)階段的工藝窗口分析，在海外代工的沒有CP測試的晶圓產(chǎn)品量產(chǎn)階段，可以進行全測和抽測，避免造成晶圓不良品送封的損失。

HR-1680 高溫反偏老化試驗系統(tǒng)

可靠性實驗室依據(jù)行業(yè)國際標準建立，具有完備的實驗?zāi)芰Γ蛇M行電子產(chǎn)品的可靠性壽命加速試驗。可靠性測試測試，在芯片研發(fā)階段至關(guān)重要，一個設(shè)計優(yōu)良的產(chǎn)品的工藝窗口比較大，在各種工藝參數(shù)公差范圍內(nèi)都可以有較高的可靠性，所以可靠性測試在芯片研發(fā)MPW階段，可以作為挑選芯片設(shè)計參考測試項。在量產(chǎn)階段也根據(jù)不同的質(zhì)量要求，進行可靠性抽樣檢驗。

分立器件測試系統(tǒng)JUNO DTS-1000

JUNO DTS-1000系統(tǒng)測試機通過與分選機組合，可實現(xiàn)對半導(dǎo)體分立器件成品如晶體管場效應(yīng)管（MOSFET）和二極管

（Diode）的高速測試與分選，實現(xiàn)成品100%全測，保證成品性能的一致性和穩(wěn)定性。

TEK370A? 泰克晶體管圖示儀

晶體管特性圖示儀是一種可直接在熒光屏上顯示晶體管特性曲線的專用儀器。它可用來準確測定MOSFET的IGSS、IDSS漏電流（精度可達到1nA）、閾值電壓Vth 等直流參數(shù)，及掃描耐壓IV Curve等。還可用來測定Diode瞬態(tài)正向壓降VF、漏電流IR等。實現(xiàn)研發(fā)產(chǎn)品性能參數(shù)的準確， 加快產(chǎn)品研發(fā)進程。

B1506A 安捷倫功率器件分析儀

B1506A 功率器件分析儀/曲線追蹤儀是完整的功率電路設(shè)計解決方案，可以在不同工作條件下評測所有的功率器件參數(shù)。它可以實現(xiàn)在MOSFET的IV參數(shù)， C-V Curve、柵極電荷和功率損耗的測量。可以較快速并準確的評估MOSFET的直流、交流參數(shù)，實現(xiàn)產(chǎn)品參數(shù)快速定義。